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DMT2004UFDF-7相关型号
  • PB61

    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 6A PB-6

  • PB62

    BRIDGE RECT 1PHASE 200V 6A PB-6

  • PB64

    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 6A PB-6

  • MB1505

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 15A MB

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    BRIDGE RECT 1PHASE 100V 15A MB

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    BRIDGE RECT 1PHASE 400V 15A MB

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    BRIDGE RECT 1PHASE 600V 15A MB

  • MB2505

    BRIDGE RECT 1PHASE 50V 25A MB

Diodes美台热销型号

图片仅供参考,请参考产品描述

  • DMT2004UFDF-7

  • 制造商:Diodes Incorporated
  • 批号:19+
  • 描述:MOSFET BVDSS: 8V 24V,U-DFN2020-6
  • PDF下载:pdf下载
  • 库存数量:2000+

优势价格,DMT2004UFDF-7的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装Digi-Reel® 得捷定制卷带
  • 系列汽车级,AEC-Q101
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压(Vdss)24V
  • 电流 - 连续漏极(Id)(25°C 时)14.1A(Ta)
  • 驱动电压(最大 Rds On,最小 Rds On)2.5V,10V
  • 不同Id,Vgs 时的Rds On(最大值)6 毫欧 @ 9A,10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)(最大值)1.45V @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷(Qg)(最大值)53.7nC @ 10V
  • Vgs(最大值)±12V
  • 不同 Vds 时的输入电容(Ciss)(最大值)1683pF @ 15V
  • FET 功能-
  • 功率耗散(最大值)800mW(Ta), 12.5W(Tc)
  • 工作温度-55°C ~ 150°C(TJ)
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装U-DFN2020-6(F 类)
  • 封装/外壳6-UDFN 裸露焊盘

其它信息

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