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DMN3730UFB4-7B相关型号
Diodes美台热销型号

图片仅供参考，请参考产品描述

  • DMN3730UFB4-7B

  • 制造商：Diodes Incorporated
  • 批号：19+
  • 描述：MOSFET BVDSS: 25V-30V X1-DFN1006
  • PDF下载：
  • 库存数量：2000+

优势价格，DMN3730UFB4-7B的国内现货当天可发货,国外现货7-10天发货可发货。

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详细参数

  • 包装标准卷带
  • 系列汽车级，AEC-Q101
  • 零件状态有源
  • FET 类型N 通道
  • 技术MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）30V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）750mA（Ta）
  • 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）1.8V，4.5V
  • 不同Id，Vgs 时的Rds On（最大值）460 毫欧 @ 200mA，4.5V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）950mV @ 250µA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）（最大值）1.6nC @ 4.5V
  • Vgs（最大值）±8V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值）64.3pF @ 25V
  • FET 功能-
  • 功率耗散（最大值）470mW（Ta）
  • 工作温度-55°C ~ 150°C（TJ）
  • 安装类型表面贴装型
  • 供应商器件封装X2-DFN1006-3
  • 封装/外壳3-XFDFN

其它信息

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